型号:MT4VDDT3264HG-40BF2 | 类别:存储器 - 模块 | 制造商:Micron Technology Inc |
封装:200-SODIMM | 描述:MODULE DDR 256MB 200-SODIMM |
详细参数
类别 | 存储器 - 模块 |
---|---|
描述 | MODULE DDR 256MB 200-SODIMM |
系列 | - |
制造商 | Micron Technology Inc |
存储器类型 | DDR SDRAM |
存储容量 | 256MB |
速度 | 400MT/s |
特点 | - |
封装/外壳 | 200-SODIMM |
供应商
深圳市芯宇华航科技有限公司 | 张先生18025408677 |
深圳市华斯顿电子科技有限公司 | 朱咸华0755-83777708/83777607/82799993 |
深圳市芯宇华航科技有限公司 | 江小姐+86 18025419171 |
深圳市科雨电子有限公司 | 卢小姐,171-4729-0036微信同号,无线联通更快捷171-4729-0036(微信同号) |
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MT4VDDT3264HG-40BF2相关型号
- NE3509M04-T2-A
RF FET
CEL
SOT-343F
AMP HJ-FET 2GHZ SOT-343
- NOSV477M006R0075
氧化铌
AVX Corporation
2924(7361 公制)
CAP NIOB OXIDE 470UF 6.3V 2924
- NLFV25T-100K-PF
固定式
TDK Corporation
非标准
INDUCTOR SHIELD 10UH 10% 252018
- MT5000-3/8-2-SP
热缩管
TE Connectivity
200-SODIMM
HEAT SHRINK TUBING
- NE5531079A-T1-A
RF FET
CEL
4-SMD,扁平引线
FET RF LDMOS 460MHZ 7.5V 79A
- MT4VDDT1664HG-335F3
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
200-SODIMM
MODULE SDRAM DDR 128MB 200SODIMM
- MFR-25FRF-8K06
通孔电阻器
Yageo
轴向
RES 8.06KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- HM2R02PA5101E9
背板 - 硬公制,标准
FCI
CONN RECEPT 125POS TYPE B R/A
- NE3514S02-T1D-A
RF FET
CEL
4-SMD,扁平引线
HJ-FET NCH 10DB S02
- NLFV25T-330K-PF
固定式
TDK Corporation
非标准
INDUCTOR SHIELD 33UH 10% 252018
- NOSW476M004R0150
氧化铌
AVX Corporation
2312(6032 公制)
CAP NIOB OXIDE 47UF 4V 2312
- NE5532AD8R2G
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps
ON Semiconductor
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IC OPAMP DUAL LOW NOISE 8-SOIC
- MT5000-3/8-9-SP
热缩管
TE Connectivity
HEAT SHRINK TUBING
- MFR-25FRF-8K66
通孔电阻器
Yageo
轴向
RES 8.66KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- MT4VDDT1664HY-40BK1
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
200-SODIMM
MODULE DDR SDRAM 128MB 200SODIMM
- NE3515S02-T1C-A
RF FET
CEL
4-SMD,扁平引线
FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
- HM2R02PA5108E9
背板 - 硬公制,标准
FCI
CONN RECEPT 125POS TYPE B R/A
- NLFV25T-470K-PF
固定式
TDK Corporation
非标准
INDUCTOR SHIELD 47UH 10% 252018
- NOSW686M002R0150
氧化铌
AVX Corporation
2312(6032 公制)
CAP NIOB OXIDE 68UF 2.5V 2312
- MT5000-3/8-X-SP
热缩管
TE Connectivity
HEAT SHRINK TUBING
- MFR-25FRF-90R9
通孔电阻器
Yageo
轴向
RES 90.9 OHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- NE5532ADG4
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps
Texas Instruments
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IC OPAMP GP 10MHZ DUAL LN 8SOIC
- HM2R02PA5108N9SET
背板 - 硬公制,标准
FCI
CONN RECEPT 125POS TYPE B R/A
- NE3X1WH6-A
布线管,配线管道
Panduit Corp
4-SMD,扁平引线
DUCT SLT H FREE AD WH 3X1"(6=6’)
- NOSX107M004R0100
氧化铌
AVX Corporation
2917(7343 公制)
CAP NIOB OXIDE 100UF 4V 2917
- NLFV25T-470K-PF
固定式
TDK Corporation
非标准
INDUCTOR SHIELD 47UH 10% 252018
- MT52FN
插线台,插座面板
Switchcraft Inc.
CONN PATCHBAY 52JACKS 1.75"
- NE5532D8G
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps
ON Semiconductor
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IC OPAMP DUAL LOW NOISE 8-SOIC
- MFR-25FRF-931R
通孔电阻器
Yageo
轴向
RES 931 OHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- MT4VDDT3264HY-335J1
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
200-SODIMM
MOD DDR SDRAM 256MB 200SODIMM
- HM2R03PA5101N9SET
背板 - 硬公制,标准
FCI
CONN RECEPT 55POS TYPE C R/A
- NE3X3WH6-A
布线管,配线管道
Panduit Corp
4-SMD,扁平引线
DUCT SLT H FREE AD WH 3X3"(6=6’)
- NP0080TAT1G
TVS - 晶闸管
ON Semiconductor
6-TSOP(0.059",1.50mm 宽)5 引线
IC PROTECTOR LOW CAP 8V 5TSOP
- NLFV25T-4R7M-PF
固定式
TDK Corporation
非标准
INDUCTOR SHIELD 4.7UH 20% 252018
- NE5532D8R2G
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps
ON Semiconductor
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IC OPAMP DUAL LOW NOISE 8-SOIC
- MT52HNX
插线台,插座面板
Switchcraft Inc.
CONN PATCHBAY 52JACKS 1.75"
- MFR-25FRF-953K
通孔电阻器
Yageo
轴向
RES 953KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- NE3X4WH6
布线管,配线管道
Panduit Corp
4-SMD,扁平引线
DUCT SLT HAL FREE WHT 3X4"X 6’
- MT4VDDT3264HY-40BJ1
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
200-SODIMM
MOD DDR SDRAM 256MB 200SODIMM
- HM2R03PA5104N9
背板 - 硬公制,标准
FCI
MPACS 5R RA REC "C’ 11P